
Entwicklung und Optimierung von SiC-Epitaxie-Prozessen für zuverlässige Bauteile. Mindestens 5 Jahre Erfahrung in SiC-Epitaxie erforderlich. Möglichkeit zur Mitarbeit an weltklasse Bauteilen.

Integration von Metallisierung und Passivierung für Low Voltage Power MOSFETs. Mindestens 5 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie und fundierte Kenntnisse in Halbleiterprozesstechnologie. Fließende Englischkenntnisse.

Entwicklung von Ionentrap-Chips für Quantenprozessoren, Prozessentwicklung im Halbleiterbereich, Erfahrung mit Prozessdatenbanken und datengesteuerter Prozessoptimierung, Master-Abschluss in Physik oder vergleichbar.

Entwicklung von Automotive Power MOSFET Technologien mit Fokus auf Prozessintegration. Mindestens 5 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie und Kenntnisse in DOE sind erforderlich. Möglichkeit zur Karriereentwicklung als technischer Experte.

Entwicklung und Optimierung von Prozessintegrationen zur Steigerung von Stabilität und Ertrag. Erfahrung mit statistischer Auswertung und Datenverarbeitung ist erforderlich. Möglichkeit zur Mitgestaltung von Power-Technologien.

Entwicklung und Optimierung von SiC-Epitaxie-Prozessen für Weltklasse-Bauteile. Mindestens 5 Jahre Erfahrung in SiC-Epitaxie und Prozessoptimierung. Fließende Englischkenntnisse.
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